(Pb_(0.3)Sr_(0.7))_(1-x)K_xTiO_3薄膜制备与介电调谐性能PREPARATION AND DIELECTRIC TUNABILITY OF K-DOPED Pb_XSr_(1-X)TiO_3 FERROELECTRIC THIN FILM
张园,吴敏
摘要(Abstract)：
采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1 mol%,2.5 mol%,5 mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。发现掺杂后薄膜的相结构没有发生变化,晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小。1MHz时,随K含量从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.0576,其微波介电综合性能改善。
关键词(KeyWords)： 钛酸锶铅;K+掺杂;薄膜;Sol-Gel;介电调谐
基金项目(Foundation):
作者(Author): 张园,吴敏
参考文献(References)：
- 1裴亚芳,杨传仁,陈宏伟等.钛酸锶铅铁电薄膜的制备、应用及其研究进展.绝缘材料,2006,39(6):23~27
- 2 J.B.L.Rao and D.P.Patel.Voltage controlled ferroelectric-lensphased array.Dig.IEEE Antennas Propagate.Soc.Int.Symp.,1996:1624~1627
- 3李敏睿.Mg掺杂PST陶瓷薄膜的制备及性能研究.硕士学位论文,杭州:浙江大学,2006
- 4 M.W.Cole,P.C.Joshi,M.H.Ervin,et al.The influence of Mg dopingon the materials properties of BaSrTiO thin films for tunable device ap-plications.Thin Solid Films,2000,374:34~41
- 5 K.T.Kim and C.I.Kim.Structure and dielectric properties ofBi-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films fabricated by sol-gel method.Mi-croelectronic Engi.,2003,66:835~841
- 6程小荣.Ca、S r掺杂Ba'TiO3薄膜及陶瓷铁电材料性质研究.硕士学位论,苏州:苏州大学,2007
- 7 M.Jain,S.B.Majumder and R.S.Katiyar.Dielectric properties ofsol-gel-derived MgO:Ba0.5Sr0.5TiO3 thin-film composites.App.Phys.Lett.,2002,81(l7):3212-3214
- 8王季魁,沈明荣,方亮等.溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质.功能材料,2006,2(37):231~234